Расширение памяти до 512К на SRAM
При расширений памяти до 512К обычно используется два метода: замена микрос хем РУ5 на РУ7 или применение модуля SIMM. Данный метод отличается от выше сказанных применением одной микросхемы статической памяти и малым потреблением тока. Измерял потребление компьютера (без ВГ93 и AY) +5V от блока питания: с РУ5 - 830 мА, с SRAM - 610 мА.
Принципияльная схема расширения паказано на рисунке:
Перед тем как собрать схему надо сделать следующие изменения в плате компьютера:
- удалить микросхемы памяти DD20-DD35; если они впаяны - выпаять/выкусать и поставить панелки;
- выпаять конденсатор C16;
- 14-ую ногу микросхемы DD61 присоединить к плюсу питания (через резистор 1кОм или прямо), а 13-ую ногу - к земле. С ноги 12 подадим сигнал в схему расширения. До этого эти три ноги неиспользовались и такое подключение неокажет ни какого влияния на работу компьютера даже со стандатной памятью.
Никаких других изменении внести не надо!
Все детали рекомендуется спаять на макетной плате или сделать двухстороннию печатную плату ЛУТом (см. архив zip). К сигнальным точкам R1-R8, D0-D7, Q0-Q7, C16, C37, C38, +5V, GND нужно припаять ножки для вставления в панельки РУ5. Ножки можно изпользовать типа SIP (как в фото) или сделать из ножек например резисторов или других деталей, тем не менее рекомендуется использовать позолоченные контакты для болшей надежности. Резистор R1 – SMD, 1206 или 0805, припаивается снизу платы. Там же припаивается провод с сигналом RAS. Если делать данную схему на макетной плате, следует обратить внимание на то что на плате компьютера микросхемы DD27 и DD35 сдвинутые на 1,27 мм в сторону.
Собрав плату ставим ее в панелки бывших РУ5 и припаиваем пять проводов к указанным точкам на плате компьютера (вместо ножек микросхем можно паять в соответствующие переходные отверстия).
Все собрав и подключив схема должно заработать сразу и не требует наладки. Микросхемы логики рекоммендую исползовать серии 74HC или 74HCT. В крайнем случае можно исползовать 74LS (проверенно). Более быстрые серии 74ALS/AC/ACT исползовать не рекоммендуется, так как болшой скорости здесь не требуется, за исключением если будете делать режим турбо, но это непроверялось. Микросхема памяти подойдет любая 512Кбит х 8 в корпусе DIP32 с задержкой 55 или 70 нс. Я использовал BS62LV4006PIP55. Блокировочный конденсатор C1 на DD1 обязателен, не менее 0,1мкФ, а лучше 1мкФ многослойный керамический, например Х7R. Также желательно впаять блокировочные конденсаторы по 0,1мкФ на микросхемах DD3 и DD4.
После установки данного расширения некоторые программы ранше работавшие при 128К памяти, перестанут работать нормально или будут зависать, например демо Rage после запуска сразу виснет. В таком случяе можно исползовать переключятель как паказано на рисунке и отключять память выше 128К при необходимости:
Проверить 512К память можно системной программой System Test v4.30r или зашить тест в ROM (есть в архиве).
По этому принципу можно расширить память и до 1МБ по стандарту Pentagon-1024 используя микросхему типа 1Мбит х 8, тогда понадобится еще один елемент 74HC08 для управления верхним адресом A19 и надо будет переделать пятый бит регистра DD62 (об этом написано в http://zxdn.narod.ru/hardware/dv07pn1m.htm).
Пентагон с 512K SRAM выглядит так:
Файлы проекта:
- Тест оперативная памяти в ПЗУ: ram_test.zip
- Проект DipTrace формате: diptrace-pcb-sch.zip
Автор Hysk 2015-04-29
Последнее изменение: 2015-05-11 21:58:59